Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC638P
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC638P
FDC638P Hakkında
FDC638P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 48mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.6W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 14nC olup, hızlı komütasyon gerekli uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok