Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC638P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC638P
FDC638P Hakkında
FDC638P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, Surface Mount teknolojisi ile SOT-23-6 paketinde sunulmaktadır. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 48mOhm maksimum on-state direnç (4.5A, 4.5V), düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uyarlanabilirlik sağlar. Mobil cihazlar, güç yönetimi, ses ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok