Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC637BNZ

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC637

FDC637BNZ Hakkında

FDC637BNZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 24mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate şarj (Qg) 12nC ve giriş kapasitansi (Ciss) 895pF olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, inverter ve anahtarlama güç kaynağı devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 895 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok