Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC636P
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC636P
FDC636P Hakkında
FDC636P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 2.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDC636P, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. SOT-23-6 paketlemesi, kompakt tasarımlı cihazlara entegrasyonu kolaylaştırır. Maksimum 1.6W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok