Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC633N

MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC633N

FDC633N Hakkında

FDC633N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, düşük On-resistance (42mΩ @ 5.2A, 4.5V) sayesinde güç kaybını minimize eder. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 16nC gate charge değeri ile anahtarlama hızını destekler. Mobil cihazlar, güç yönetimi uygulamaları, LED sürücüleri ve hafif yük anahtarlaması devrelerinde kullanılır. Düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli devre tasarımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 538 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok