Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC633N
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC633N
FDC633N Hakkında
FDC633N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SuperSOT-6 (SOT-23-6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 42mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında ve 1.6W maksimum güç tüketiminde tasarlanmıştır. 16nC gate charge ve 538pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemi sağlar. Gated logic devreleri, yük anahtarlaması ve anahtarlamalı güç kaynakları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 538 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok