Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC6302P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC6302P
FDC6302P Hakkında
FDC6302P, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 25V Drain-Source gerilimi ve 120mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük kontrolü gerilimi ile çalıştırılabilir. 10Ohm maksimum Rds(On) değeri ile enerji tüketimi düşüktür. Gate Charge 0.31nC ve Input Capacitance 11pF olması anahtarlama hızını destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, analog anahtarlamalar, güç yönetimi, sinyal anahtarlama ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 700mW maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok