Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC606P

MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC606P

FDC606P Hakkında

FDC606P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu komponentin Rds(on) değeri 4.5V Vgs'de 26mOhm'dur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Surface mount teknolojisiyle birleştirilmek üzere tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1699 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok