Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC602P_F095

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC602P

FDC602P_F095 Hakkında

FDC602P_F095, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 35mΩ RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama işlemleri sağlar. Gate charge değeri 20nC ile hızlı komütasyon özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Power MOSFET uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür. Kullanımda dikkat: Bu ürün obsolete (üretilmiyor) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok