Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC602P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC602P
FDC602P Hakkında
FDC602P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 35mOhm maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. SuperSOT-6 paketinde yerleştirilmiş olup surface mount uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, load switching ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V drive voltage ile CMOS ve LVCMOS lojik seviyelerinden direkt kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok