Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC5661N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC5661N
FDC5661N Hakkında
FDC5661N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, 47mΩ on-resistance (Rds On) değeriyle verimli güç dağıtımı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) güvenilir performans gösterir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok