Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC5661N-F085
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC5661N
FDC5661N-F085 Hakkında
FDC5661N-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim kapasitesine ve 4.3A sürekli drenaj akımına sahiptir. 47mΩ maksimum on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate şarjı 19nC olup, 10V gate geriliminde optimize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve hafif yük anahtarlaması gereken endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Kompakt paketlemesi sayesinde sınırlı alan uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok