Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC5614P-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC5614P
FDC5614P-G Hakkında
FDC5614P-G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 105mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SuperSOT-6 paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. Push-pull konfigürasyonları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve düşük gerilim güç dağıtım sistemlerinde kullanım için uygundur. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 759 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok