Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC5612-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC5612
FDC5612-G Hakkında
FDC5612-G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 4.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 55mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 800mW güç tüketimi ile kompakt tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok