Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC5612_F095

MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC5612

FDC5612_F095 Hakkında

FDC5612_F095, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SuperSOT-6 (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 55mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücü tasarımlarında kullanılan kompakt bir FET çözümüdür. 10V gate geriliminde optimal performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok