Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC5612
FDC5612 Hakkında
FDC5612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile 4.3A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Maksimum 55mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde 18nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarında avantaj sunar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switch uygulamaları ve genel amaçlı dijital lojik seviyesi kontrol uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.6W güç tüketimi ile sınırlı alan gerektiren tasarımlarda etkin çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok