Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC365P

MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC365P

FDC365P Hakkında

FDC365P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 35V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 55mΩ maksimum on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. SuperSOT-6 paketindeki kompakt tasarımı, sınırlı alanlı devre tasarımlarına uygun hale getirmektedir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrolü ve motor sürücüleri gibi pek çok endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 15nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği, verimli devre tasarımını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 35 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok