Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC3535
P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET, -
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC3535
FDC3535 Hakkında
FDC3535, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power Trench MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 183mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 (SuperSOT™-6) yüzey montaj paketine sahiptir. Gövde sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 20nC maksimum gate charge ve 880pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 183mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok