Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC2612_F095

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC2612

FDC2612_F095 Hakkında

FDC2612_F095, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 725mOhm RDS(on) değeri ile iyi iletken özellikleri sunar. SuperSOT-6 (SOT-23-6) paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Maksimum 1.6W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 725mOhm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok