Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC2612

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC2612

FDC2612 Hakkında

FDC2612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SuperSOT-6 paket içinde 6 pin konfigürasyonu ile sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 725mΩ maksimum on-direnci, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel elektronik, adaptörlü kaynaklar ve motorlu sistemlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 725mOhm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok