Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC2512-P
MOSFET N-CH 150V SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC2512
FDC2512-P Hakkında
FDC2512-P, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 1.4A sürekli dren akımı ve 425mOhm on-state direnci (Rds On) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. SuperSOT-6 paket tipi ile compact tasarımlar için uygundur. Sürücü devreler, şarj yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortamlar için uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 344 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 425mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok