Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDBL0210N80
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDBL0210N
FDBL0210N80 Hakkında
FDBL0210N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 240A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerSFN paketinde gelen bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HPSOF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok