Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDBL0110N60
FDBL0110N60 - N-CHANNEL POWERTRE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDBL0110N60
FDBL0110N60 Hakkında
FDBL0110N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drenaj-kaynak voltaj (Vdss) ve 300A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Metal Oxide (MOSFET) teknolojisi ile üretilen bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme, LED sürücü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 8-PowerSFN (8-HPSOF) yüzeye monte pakette sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13650 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 429W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HPSOF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok