Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB9503L-F085
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB9503L
FDB9503L-F085 Hakkında
FDB9503L-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim, 110A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençi (2.6mOhm @ 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve industrial uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 333W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8320 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok