Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB9403L-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB9403L
FDB9403L-F085 Hakkında
FDB9403L-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.2mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. 245nC gate charge değeri hızlı anahtarlama yapılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 245 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok