Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB8896-F085

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB8896

FDB8896-F085 Hakkında

FDB8896-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 19A (Ta) / 93A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 5.7mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılan güvenilir bir anahtarlama elemanıdır. Ancak bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 93A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok