Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8896-F085
19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8896
FDB8896-F085 Hakkında
FDB8896-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine tanımlıdır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 80W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve güç seviyesi kontrol sistemlerinde kullanılır. 67nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 93A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2525 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok