Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8880
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8880
FDB8880 Hakkında
FDB8880, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 54A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 11.6mΩ maksimum on-resistance (Rds) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FDB8880, 55W güç dissipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir çözümdür. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok