Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8880-ON
11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8880
FDB8880-ON Hakkında
FDB8880, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 0.0145Ω düşük on-dirençi (RDS(on)) sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-263 SMD paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, LED sürücüleri ve elektriksel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok