Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8878
FDB8878 Hakkında
FDB8878, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 48A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve yüksek akımlı yük yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 14mΩ maksimum Ron değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Maksimum 47.3W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Part Status: Obsolete (Kullanımdan Kaldırılmış).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1235 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok