Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8876
FDB8876 Hakkında
FDB8876, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 71A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (8.5mOhm @ 40A, 10V) karakteristiği sayesinde anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol sistemlerinde ve güç amplifikasyonu gerektiren endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 70W maksimum güç dağılım kapasitesi, yüksek hassasiyet gerektiren sistemlerde kullanımını destekler. Bileşenin durumu obsolete olsa da, hali hazırda birçok legacy sistem ve prototip geliştirmede tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok