Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB8874

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB8874

FDB8874 Hakkında

FDB8874, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ile tasarlanmıştır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve 110W güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uyumluluk alanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 121A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok