Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8870
FDB8870-F085 Hakkında
FDB8870-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj değeri ile orta seviye voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 23A sürekli dren akımı (Ta=25°C) ve 160A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 3.9mOhm düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliğini artırır. TO-263AB (D²Pak) paketlemesi sayesinde küçük alan gerektiren uygulamalarda tercih edilir. DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Part obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok