Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8870
FDB8870 Hakkında
FDB8870, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 23A sürekli drenaj akımı (Ta = 25°C) ve 160A puls akımı kapasitesine sahiptir. 3.9mΩ (maksimum) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan FDB8870, -55°C ile 175°C arasında işletilebilir. 160W maksimum güç saçma kapasitesi ile güç elektronikleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi ve 132nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok