Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8860
FDB8860 Hakkında
FDB8860, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263AB paketinde sunulan bu bileşen, düşük 2.3mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren devreler için uygundur. Motor kontrolleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve ağır akımlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 254W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12585 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 254W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok