Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB8832-F085

MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB8832

FDB8832-F085 Hakkında

FDB8832-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.9mOhm (10V, 80A) düşük RDS(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 300W güç dağılımı kapasitesi bulunur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok