Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8832-F085
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8832
FDB8832-F085 Hakkında
FDB8832 bir N-Channel logic level MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile çalışır. 1.9mΩ üzerinde düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliğini arttırır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 4.5V logic level gate sürüşü gerektiren bu FET, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 265nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok