Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8832
FDB8832 Hakkında
FDB8832, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. TO-263-3 (D²PAK) paket tipinde sunulan bu transistör, 1.9mΩ (80A, 10V'de) düşük on-direnç değeri ile verimli güç iletimini sağlar. 300W güç dağıtımı kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok