Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86569-F085
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86569
FDB86569-F085 Hakkında
FDB86569-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Vdss ile 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 5.6mOhm on-direnç değeri ile güç kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, şarj kontrolleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 52nC gate charge ve 2520pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı ve 10V drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2520 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok