Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86563-F085
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86563
FDB86563-F085 Hakkında
FDB86563-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel PowerTrench MOSFET'tir. 60V Drain-Source gerilim, 110A sürekli drenaj akımı ve 1.8mΩ (10V, 80A'de) ile karakterize edilen bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 333W maksimum güç tüketimine ve düşük gate charge değerine (163nC @ 10V) sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 163 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok