Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86563
FDB86563-F085 Hakkında
FDB86563-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8mOhm(typ) on-resistance değeriyle enerji kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 333W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate-source geriliminde 163nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 163 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok