Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86366-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86366
FDB86366-F085 Hakkında
FDB86366-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.6mΩ (80A, 10V) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve elektrik araçları gibi alanlarda kullanım için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 176W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6280 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok