Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86363
FDB86363-F085 Hakkında
FDB86363-F085, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajına ve 110A sürekli drain akımına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Gate charge 150nC ve threshold voltajı 4V @ 250µA'dır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok