Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB86102
FDB86102LZ Hakkında
FDB86102LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Vdss ile tasarlanmış olup, 30A maksimum kontinü dren akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 24mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunmaktadır. Gate charge değeri 21nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu MOSFET, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V Gate voltaj aralığı ile geniş uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok