Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8453LZ
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8453
FDB8453LZ Hakkında
FDB8453LZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 50A (Tc) maksimum sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketine sahip olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 3.1W (Ta) / 66W (Tc) güç dağıtabilen bu MOSFET, gürültü azaltma ve verimlilik gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3545 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 17.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok