Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8444TS
MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8444
FDB8444TS Hakkında
FDB8444TS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-263-5 paketinde sunulan bu bileşen, 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 181W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge değeri (338nC @ 20V) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 338 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 181W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok