Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB8444TS

MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

Paket/Kılıf
TO-263-6
Seri / Aile Numarası
FDB8444

FDB8444TS Hakkında

FDB8444TS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 70A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 5mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-6 D²Pak paketlemesi ile yüksek ısı dağıtım özelliği sunar. Motor kontrol, LED sürücü devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Ürün yaşlı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package TO-263-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok