Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8444
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8444
FDB8444 Hakkında
FDB8444, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ on-state direnci sayesinde düşük enerji kaybıyla çalışır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüler ve DC/DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8035 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok