Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8443
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8443
FDB8443 Hakkında
FDB8443, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ile çalışan bu devre elemanı, 25A sürekli akım kapasitesine (Ta) ve 120A (Tc) değerine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, düşük 3mOhm (10V, 80A'de) Ron değeri ile power management, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan komponentin gate charge değeri maksimum 185nC ve maksimum power dissipation kapasitesi 188W'tır. SMD montaj tipi sayesinde yoğun devre tasarımlarında yerleşim kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok