Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8160
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8160
FDB8160 Hakkında
FDB8160, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ile 80A sürekli drenaj akımı sağlar. 1.8mOhm (10V, 80A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 254W maksimum güç dağılımı kapasitesi, yüksek akım gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 243 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11825 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 254W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok